晶闸管模块属于硅元件,硅元件的一般特点是过载能力差。因此，晶闸管模块在使用过程中经常被烧毁。下面，安仑力的小编就跟大家聊一聊导致它燃烧的因素。

　　1、晶闸管模块的烧坏是由于温度过高造成的，而温度是由电特性、热特性、结构特性决定的。因此保证其在开发、生产过程中的质量要从三个方面入手:电特性、热特性、结构特性，这三者紧密相连、密不可分，所以在研究中、在生产晶闸管模块时，应充分考虑其电应力、热应力、结构应力。烧坏晶闸管模块的原因有很多，但一般来说，在三者的共同作用下，晶闸管模块被烧坏。单个特性的下降很难导致产品闸管的烧坏。因此，我们可以在生产过程中充分利用这一特性，也就是说，如果一个应力不能满足要求，我们可以采取措施改善其他两个应力。

　　2、从晶闸管模块的各相参数来看，事故频发的参数有：电压参数：电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关闭时间等。甚至有时控制极也会烧坏。由于晶闸管模块的参数性能降低或线路问题会导致闸管模块烧损，从表面上看，每个参数导致晶闸管烧损的现象是不同的，因此可以通过解剖烧损的晶闸管模块来判断晶闸管烧损的参数。

　　3、一般来说，阴极表面或芯片边缘有一个小黑点，表明它是由电压引起的。电压导致晶体模块燃烧有两种可能原因。首先，晶闸管模块的电压故障是我们通常所说的降伏。电压故障分为早期故障、中期故障和晚期故障。二是线路问题，线路产生过电压，晶闸管模块采取的保护措施失效。

　　4、电流烧坏晶闸管通常在阴极表面有较大的烧损痕迹，甚至芯片、管壳等金属大面积融化。di/dt由于晶闸管模块燃烧引起的现象更容易判断。一般来说，部分是门极或放大门极附近的一个小黑点。我们知道晶闸管模块的等效电路由两个硅可控电路组成。用于触发门极对应的硅可控电路。目的是在触发信号到达时放大，然后尽快导通主硅可控电路。但是，如果电流在短时间内过大，主硅可控电路还没有完全导通，大电流主要通过相当于门极的硅可控电路，硅可控电流的承载能力很小，因此硅可控电路燃烧，表面是门极或放大门极附近的一个小黑点。dv/dt它本身不会烧坏晶闸管模块，但它很高dv/dt会使晶闸管模块误触发导通，其表面现象与电流烧坏现象相似。