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晶闸管模块的伏安特性

来源:www.allkj.cn 浏览量:载入中... 发布时间:2019.05.26


      晶闸管模块的伏安特性就是指晶闸管模块的阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管模块的阳极电流之间的关系,正向特征位于第一象限,反向特征位于第三象限。

晶闸管模块的伏安特性

      (1) 反向特性
      当栅极G开着,外加反向电压时,J2结正偏,而J1,J2结相反。当电压进一步升高到J1结雪崩击穿电压时,J3结击穿,电流迅速增大。图2特征曲线的或截面开始弯曲。弯曲处的电压Uro称为“反向转动电压”。晶闸管模块将反向击穿。
      (2) 正向特性
       当栅极G打开,阳极A加正向电压时,j1和j3结偏压为正,而j2结偏压为负,这与普通pn结的反向特性相似,只能通过很小的电流。这称为正向阻塞状态。当电压升高时,特性曲线的OA段开始弯曲。弯曲处的电压Ubo被称为“正向旋转电压”。
      当电压上升到J2结的雪崩击穿电压时,在J2结上产生大量的电子和空穴。电子进入N1区,空穴进入P2区。进入n1区的电子通过p1区的j1结与注入n1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与通过J3结通过N2区注入P2区的电子结合在一起。雪崩击穿后,进入N1区的电子和进入P2区的空穴不能全部结合在一起。因此,在n1区有电子积累,在p2区有空穴积累。因此,p2区的电位升高,n1区的电位降低,j2结变为正偏压。只要电流稍微增加,电压就会迅速下降,从而产生所谓的负电阻特性,如图2虚线AB部分所示。此时,J1、J2和J3的三个结均为正偏,晶闸管模块进入正导通状态,其特性与普通PN结相似。
      (3) 触发导通
      当正向电压加到G栅极时(如图5所示),由于J3偏压,p2区的空穴进入n2区,n2区的电子进入p2区,形成触发电流IGT。在晶闸管模块内部正反馈和IGT功能的基础上,提前开启晶闸管模块,导致电压-安培特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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